Mit dem DOT800T bietet SPEA eine Komplettlösung für den Leistungstest. Das System bietet alle Funktionen für ISO, AC und DC-Tests bei allen Leistungskomponenten – von Wafer bis hin zum Test von Endprodukten.
Der DOT800 T erfüllt die Testanforderungen herkömmlicher Siliziumprüflinge sowie neuer Galliumnitrid- und Siliziumkarbidtechnologien und deckt deren Leistungsbereich sowohl im Bereich höchster Spannungen und Ströme als auch im Hochfrequenz- und Niedrigstrombereich ab.
Die korrekte Funktion des Prüflings wird unter realen Bedingungen mit vollständigen und genauen dynamischen und statischen Tests sowie Isolationstests überprüft, um die Qualität und Zuverlässigkeit zu gewährleisten. Das alles mit einem modularen, konfigurierbaren Testsystem, das für die hochvolumige Fertigung konzipiert ist.
Eine einzige Testplattform
für alle Power-Anwendungen
Wafer
Vollständiger Test der Leistungskomponenten auf Wafer-Ebene zur Optimierung der Ausbeute (Yield) und somit Kostenreduzierung bei den nächsten Produktionsschritten
KGD
Vollständiger Test der gesägten Wafer (von Folie), um die Funktionalität der Dies zu gewährleisten (Known Good Die)
Diskrete
Vollständiger Test diskreter Prüflinge, die auf Si / SiC / GaN-Technologie basieren
IPM
Vollständiger Test von IGBT und Treiber-Komponenten von Leistungsmodulen (auch mit Ansteuerelektronik)
DBC
Vollständiger Test direkt gebondeter Kupferträger vor der Montage zum Modul
Module
Vollständiger Test unter Realbedingungen von eingehäusten IGBT Bausteinen
Ein Tester – bis zu 6 Teststationen
Der DOT800T basiert auf der Multi-Core-Architektur: er kann mit bis zu 6 unabhängig voneinander und kofigurierbaren Test-Cores ausgetattet werden. ISO-, AC- und DC-Tests werden an unterschiedlichen Stationen durchgeführt, von denen jede über einen unabhängigen Controller verfügt. Der DOT800T bietet in einem einzigen System die Leistungsfähigkeit von 6 leistungsstarken Testern.
Jeder Core kann je nach Testanforderung und Produktionsablauf den verschiedenen Teststationen (AC-, DC- oder ISO) zugeordnet werden. Die Konfiguration des Testers ist auch in der Produktion skalier- und aktualisierbar, um die unterschiedlichsten Testanforderungen zu erfüllen.
Die verschiedenen Testprogramme werden parallel und asynchron ausgeführt, da jeder Test-Core über einen eigenen Controller verfügt. Jeder Test-Core verwaltet die Testressourcen, die Verbindung mit den verknüpften Instrumenten und die Ausführung des Testprogramms.
Die besten Ressourcen für Leistungstests
Der DOT800T bietet eine Instrumentierung nach neuestem Stand der Technik für den Power-Test im Semiconductorbereich – entwickelt und produziert, um sie Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit der neuen Wide-Bandgap-Technologie zu gewährleisten. Das System unterstützt hohe Spannungen und Ströme, Hochleistung und hohe Schaltfrequenzen.
Während des Tests können Hochspannung und –strom gleichzeitig geschaltet werden. Hochpräzise Strommessungen und Hochfrequenz-Digitizer garantieren höchste Auflösung und Präzision bei Leckstrom- und Durchschlagsmessungen.
Lokaler Setup-Speicher für Setup-Änderungen in den Instrumenten und eingebettete Makros zur Erzeugung von Flanken und Triggern garantieren kürzeste Testzeiten.
Die systemweite Hardware-Synchronisation zwischen den Modulen und integrierte Alarmfunktionen an Hochspannungs- und Hochstrominstrumenten (z. B. Übertemperatur, Überstrom, Floating, Kelvin, usw.) bildet die Grundlagen für sichere und zuverlässige Tests im Mixed Mode.
ISO Testperformance
- bis zu 12 kV / 10 mA DC
- bis zu 10 kV / 20 mA AC
- Hochspannungs-Sicherheitsschalter mit Ausgangsmatrix zur Begrenzung des Entladestroms, um einen sicheren Betrieb des Testers in jedem Betriebsmodus zu gewährleisten
AC Testperformance
- bis zu 6 kV, bis zu 3 kA
- Kurzschlusstest bis 10 kA
- bis zu 8 unabhängig programmierbare Gate-Treiber
- 2 bis 8 Mehrfachimpulse
- Digitalisierer mit 10 GS/s Abtastrate
DC Testperformance
- Medium Power V/I-Quelle ((± 100 V, ± 2 A, bis zu 16 A) mit 8 floatenden und unabhängigen Treibern und Digitizern
- Hochspannungsgeneratoren bis zu 20 kV
- Hochstromgeneratoren gepulst bis 4 kA, automatische Erzeugung von Flanken zur Testzeitreduzierung
Tester Parasitäre Streuinduktivität < 10 nH
Der dynamische Test von Hochleistungs und Hochfrequenz-Modulen erfordert nicht nur spezielle und leistungsfähige Testinstrumente sondern auch eine präzise Architektur der Anschlüsse, Stecker und Kontaktierungen, um Signalverluste und Streuinduktivitäten zu minimieren und Spannungsüberschreitungen zu verhindern. SPEA bietet eine Komplettlösung mit allem was Sie für den Test von Leistungselektronik brauchen.
Die Kontaktiereinheiten werden von SPEA entwickelt und produziert, um Bedienfreundlichkeit, Leistungsfähigkeit und niedrigste Streuinduktivität zu gewährleisten – sowohl für Gehäuse nach Industriestandards als auch für kundenspezifische Gehäuse – für Dual- oder Tri-Temperatur-Tests.
Für Wafer-KGD und IGBT-Module bietet SPEA ebenfalls komplette Testzellen mit automatischem Roboterhandling, die direkt in die Produktionslinie integriert werden können.
Höchste Bedienfreundlichkeit
Die Systemsoftware ATOS C2 bietet neben sämtlichen Funktionen für die Programmierung, das Debuggen und die Testausführung eine hohe Bedienfreundlichkeit und eine Reihe von Werkzeugen und Möglichkeiten.
Testprogrammgenerierung und Debugging < 1 Tag
- Programmierung mit Unterstützung spezifischer Testmodellbibliotheken für Leistungselektronik (kein Code erforderlich)
- Visueller Vergleich der Kurvenform verschiedener Bauteil-Segmente (z. B. Einphasen-, Dreiphasen- oder Mehrstufen-MOSFETs und IGBTs)
- On-Board Datenspeicher für V/I-Monitoring an allen Instrumenten
- Möglichkeit zur Bearbeitung einzelner Parameter in den Testmodellen
- Der Testablauf kann “on the fly” geändert werden, ohne dass das Testprogramm erneut bearbeitet werden muss
Test durchgeführt
| ISO Test | AC Test | DC Test | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Pins Plate Voltage/Current | TdOn - Time delay on ON | NTC temistor check | ||||
| IGBT NTC Voltage/Current | TdOff – Time delay on OFF | IGES – Gate Leakage current | ||||
| NTC Plate Voltage/Current | Trise – Rise time | VGETh – Threshold voltage | ||||
| Tfall – Fall time | Rgate Internal gate resistance | |||||
| Eon – Energy ON | Cies - Gate – Emitter capacitance | |||||
| Eoff– Energy OFF | Cres - Reverse Transfer Capacitance | |||||
| Qrr – Reverse recovered charge | Coes – Output capacitance | |||||
| Erec – Reverse recovery energy | Gate Charge (Qg) | |||||
| ΔI/ΔTOn – On state Current slew rate | VBr – diode Breakdown test | |||||
| ΔI/ΔTOFF - Off state Current slew rate | ICES – Collector leakage current | |||||
| ΔV/ΔTOn - On state voltage slew rate | VF – Forward diode voltage | |||||
| ΔV/ΔTOff – Off state voltage slew rate | VCESat – Saturation voltage | |||||
| Vrr – Voltage reverse recovery | BVDS - Breakdown Voltage | |||||
| IRM – Peak reverse recovery current | Kelvin | |||||
| Trr – Reverse recovery time | RDSON | |||||
| Short circuit test | Dynamic RDSON | |||||
| Avalanche / UIL / UIS |
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