SPEA DOT800T Power Semiconductor Tester

Leistungsmodul-Testzelle

AC/DC-Tests und Handling von IGBT-Modulen

Highlights

 

  • Marktführer bei AC/DC-Tests in Massenproduktion
  • Tests + Inline-Handling + Kontaktierung
  • Powertestfähigkeiten bis 2500 V, 1000 A
  • Niedrigste parasitäre Induktivität auf dem Markt
  • Niedrige Betriebskosten

High Power Testperformance

Power-Instrumentierung

  • 2 Starkstromquellen: 1000 A gepulst oder 20 A kontinuierlich
  • 1 Hochspannungsquelle: ±2500 V
  • Hochspannungs- und Starkstromgeneratoren von SPEA
  • Eingebettete CPUs für Sicherheitssteuerung und schnelle Programmierung
  • Clampalarm, Spike-Detektoren, automatischer Rampengenerator

AC/DC-Tests mit einem einzigen Testsystem

  • Doppelstation für AC/DC-Tests
  • Programmierbare Testsequenz mit der Möglichkeit, redundante Prüfungen durchzuführen (z.B. DC-AC; DC-AC-DC, …)
  • AC-Testbereiche: 1000 V/800 A | 600 V/1200 A | 600 V/30 A

Niedrigste parasitäre Induktivität

  • Parasitäre Induktivität <60 nH (<25 nH): Überspannung ist immer niedriger als Durchbruchspannung
  • Die Verbindungslänge wurde minimiert, um Streuinduktivität zu vermeiden
Automatisches In-Line-Handling

 

  • SMEMA-In-Line-Integration
  • Möglichkeit zur Ausstattung mit InLine Ein-/Ausgabemodulen und Puffern
  • Handling aller Arten von Modulen, auch mit ungleichmäßigen Formen
  • Die Transportrichtung und -geschwindigkeit sind per Software programmierbar
Rüstkit in weniger als 10 Minuten wechseln

 

Powermodul-Testzellen beinhalten alle notwendigen Einheiten, welche für Verbindung und Kontaktierung der Prüflinge notwendig sind.

  • Produkte können von oben, unten oder von der Seite kontaktiert werden
  • Das Kontaktiermodul ist schnell austauschbar: der Wechsel dauert weniger als 10 Minuten
Testprogrammerstellung & Debugging < 1 Tag

 

  • Schnelle und geführte Testprogrammerstellung
  • Spezifische Testmodell-Libraries für Powermodule
  • Möglichkeit, die in den Testmodellen enthaltenen Parameter entsprechend den spezifischen Anforderungen des Prüflings zu verändern
  • Auswahl und Bearbeitung von Sequenzen: Der Testablauf kann „On-the-Fly“ geändert werden, um Entwicklungs- sowie produktionstechnischen Anforderungen gerecht zu werden, ohne dass das Testprogramm bearbeitet werden muss
GERÄTE

Einphasen-Brückenschaltung

Dreiphasen-Brückenschaltung

Diodengleichrichter

IGBT-Modul

Power-MOSFET

Hochspannungs-IGBT Mosfet

Niederspannungs-IGBT-Mosfet

TECHNISCHE DATEN
AC TestDC Test
TdOn - Time delay on ON
TdOff – Time delay on OFF
Trise – Rise time
Tfall – Fall time
Eon – Energy ON
Eoff– Energy OFF
Qrr – Reverse recovered charge
Erec – Reverse recovery energy
ΔI/ΔTOn – On state Current slew rate
ΔI/ΔTOFF - Off state Current slew rate
ΔV/ΔTOn - On state voltage slew rate
ΔV/ΔTOff – Off state voltage slew rate
Vrr – Voltage reverse recovery
Rgate/Cgate
IRM – Peak reverse recovery current
Trr – Reverse recovery time
IFRM – Repetitive peack forward current
Short circuit test
NTC temistor check
IGES – Gate Leakage current
VGETh – Threshold voltage
Rgate Internal gate resistance
Cies - Gate – Emitter capacitance
Cres - Transconductance
Coes – Output capacitance
Gate Charge (Qg)
VBr – diode Breakdown test
ICES – Collector leakage current
Rgate/Cgate
VF – Forward diode voltage
VCESat – Saturation voltage
Design & Code by dsweb.lab