Características importantes
- Líder en el mercado de la producción en masa de tests CA/CC
- Tests + manejo on-line + contacto
- Capacidades de test de potencia de 2500 V, 1000 A
- Inductancia parasitaria menor en el mercado
- Bajo coste de propiedad
High Power Test Capabilities
Instrumentación de test de potencia
Instrumentación de test de potencia
- 2 fuentes de alta corriente: 1000 A pulsados o 20 A continuos
- 1 fuente de alto voltaje: ± 2500 V
- Generadores de alto voltaje y alta corriente diseñados por SPEA
- CPU integradas para controles de seguridad y programación rápida
- Alarmas de pinzas, detector de picos, generadores de rampas automáticas
Test CA | CC en un solo equipo
Test CA | CC en un solo equipo
- Doble estación para tests de CA y CC
- Secuencia de test programable, con posibilidad de realizar tests redundantes (por ejemplo, CC-CA; CC-CA-CC…)
- Rangos de test CA: 1000 V/800 A | 600 V/1200 A | 600 V/30 A
Inductancia parasitaria menor
Inductancia parasitaria menor
- Inductancia parásita < 25 nH: la sobretensión siempre es más baja que la ruptura en avalancha
- La longitud de conexión se minimiza para evitar la inductancia parasita
Manejo on-line automatizado
- Integración on-line SMEMA
- Posibilidad de equipar transportadores de entrada/salida y buffers
- Manejo de todo tipo de módulos, con forma regular/irregular
- La dirección y velocidad de manejo son programables por software
Cambiar encapsulados en menos de 10 minutos
Las células de test del módulo de potencia están completas de todas las unidades requeridas para conectarse con interfaz y conectarse con los dispositivos
- Los productos pueden contactarse desde la parte superior, inferior o lateral
- El módulo de contacto es rápido de reemplazar: un cambio de encapsulado requiere menos de 10 minutos
Generación y depuración de los programas de test < 1 día
- Generación rápida y guiada de los programas de test
- Bibliotecas de modelos de test específicos para módulos de potencia
- Posibilidad de editar los parámetros incluidos en los modelos de test, de acuerdo con los requisitos específicos del dispositivo
- Selección y edición de recetas: el flujo de test puede cambiar «sobre la marcha» para responder a los requisitos de ingeniería y producción, sin necesidad de volver a editar los programas de test
Dispositivos
Three Phase Bridge
Single Phase Bridge
Power MOSFET
Low Voltage IGBT-MOSFET
IGBT Module
High Voltage IGBT-MOSFET
Diode Rectifier
Datos técnicos
| CA Test | CC Test | |||
|---|---|---|---|---|
| TdOn - Time delay on ON nTdOff – Time delay on OFF nTrise – Rise time nTfall – Fall time nEon – Energy ON nEoff– Energy OFF nQrr – Reverse recovered charge nErec – Reverse recovery energy nΔI/ΔTOn – On state Current slew rate nΔI/ΔTOFF - Off state Current slew rate nΔV/ΔTOn - On state voltage slew rate nΔV/ΔTOff – Off state voltage slew rate nVrr – Voltage reverse recovery nRgate/Cgate nIRM – Peak reverse recovery current nTrr – Reverse recovery time nIFRM – Repetitive peack forward current nShort circuit test n | NTC temistor check nIGES – Gate Leakage current nVGETh – Threshold voltage nRgate Internal gate resistance nCies - Gate – Emitter capacitance nCres - Transconductance nCoes – Output capacitance nGate Charge (Qg) nVBr – diode Breakdown test nICES – Collector leakage current nRgate/Cgate nVF – Forward diode voltage nVCESat – Saturation voltage n |
