Con DOT800 T, SPEA ofrece una solución completa para pruebas de potencia, combinando en una sola máquina todos los recursos para realizar pruebas ISO, CA, CC en toda la gama de aplicaciones de potencia, desde el nivel de oblea hasta la prueba del producto final.
DOT800 T cumple los requisitos de prueba de los dispositivos de silicio tradicionales, así como las nuevas tecnologías de nitruro de galio y carburo de silicio, cubriendo su rango de rendimiento con los mayores valores de voltaje y corriente eléctrica, y mediciones de alta frecuencia y baja corriente.
El funcionamiento correcto del dispositivo se verifica en condiciones de trabajo reales con pruebas dinámicas completas y precisas, pruebas estáticas y secuencias de prueba de aislamiento, para garantizar la calidad y fiabilidad de cada dispositivo.
Todo esto, en un tester de alto rendimiento, modular y configurable, diseñado para plantas de producción en masa.
Una única plataforma para
toda la gama de aplicaciones de potencia
Obleas
Prueba completa de dispositivos de potencia a nivel de oblea para mejorar el rendimiento y reducir los costes para las siguientes fases de fabricación
KGD
Prueba completa de troqueles de cada fotograma para certificar el rendimiento de tipo «known good dies»
Dispositivos discretos
Prueba completa de dispositivos discretos, basada en tecnologías Si/SiC/GaN
IPM
Prueba completa de IGBT y componentes del controlador de módulos de potencia inteligentes
DBC
Prueba completa de sustratos de cobre de adhesión directa, antes del montaje del módulo
Módulo
Prueba completa de módulos IGBT empaquetados, en condiciones de trabajo reales
Un tester, hasta 6 estaciones de prueba
DOT800 T se basa en una arquitectura de varios núcleos: el tester puede disponer de uno hasta seis núcleos de prueba independientes y configurables, para realizar pruebas ISO, pruebas de CA y pruebas de CC en estaciones específicas, cada una de las cuales cuenta con su controlador específico. Con un solo sistema, obtiene la potencia y el rendimiento de seis potentes testers.
Cada núcleo se puede asignar a estaciones de prueba de CA, CC o ISO en función de los requisitos de prueba específicos y el flujo operativo. La configuración puede escalarse y actualizarse en el campo, por lo que se adapta la configuración del tester a los diferentes requisitos del dispositivo.
Los distintos programas de prueba se realizan en un modo real asíncrono y paralelo, ya que cada controlador central de prueba administra los recursos de prueba, las conexiones de los instrumentos y la ejecución del programa de prueba.
Los mejores recursos para pruebas de potencia
DOT800 T presenta un conjunto de instrumentos especializados de última generación para pruebas de semiconductores de potencia, diseñados para garantizar el rendimiento y la fiabilidad de las últimas tecnologías de banda ancha, que admiten altos voltajes, altas corrientes, alta potencia y altas frecuencias de conmutación.
Se puede suministrar a la vez alto voltaje y corriente en las pruebas, mientras que la gran sensibilidad de medición de corriente y los digitalizadores integrados de alta frecuencia garantizan una mejor resolución y precisión en las mediciones de fugas y averías.
La memoria de configuración local para el cambio de configuración en el módulo y las macros integradas para generar rampas y activadores garantizan un periodo de prueba corto.
La sincronización de hardware de todo el sistema entre módulos y las alarmas integradas en módulos de alto voltaje y alta corriente (sobretemperatura, sobrecorriente, puntos flotantes, Kelvin, etc.) son la base de un funcionamiento seguro y fiable del tester de modo mixto.
Recurso de
prueba ISO
- hasta 12 kV/10 mA CC
- hasta 10 kV/20 mA CA
- Interruptores de seguridad de alto voltaje con matriz de salida para limitar la corriente de descarga, lo que garantiza un funcionamiento seguro del tester en cualquier condición
Recursos de
prueba CA
- Hasta 6 kV, hasta 3 kA
- Prueba de cortocircuito hasta 10 kA
- Hasta 8 controladores de puerta programables independientes
- De 2 a 8 pulsos múltiples
- Digitalizadores de frecuencia de muestreo de 10GS/s
Recursos de
prueba CC
- Fuente V/I de potencia media (±100 V, ±2 A, escalable hasta 16 A) con 8 controladores y 8 digitalizadores totalmente flotantes e independientes
- Generadores de alto voltaje de hasta 20 kV
- Generadores de alta corriente de hasta 4 kA en pulsos, con generadores de rampa automáticos para reducir el tiempo de prueba
Inductancia parásita del probador <10nH
La prueba dinámica de dispositivos de alta potencia y alta frecuencia no solo requiere un buen rendimiento de los instrumentos, sino también un diseño cuidado del esquema de conexiones, enchufes y contactores del tester, para garantizar una baja inductancia parásita a lo largo de toda la ruta de la señal, con el fin de minimizar los sobrepasos de voltaje durante la conmutación. SPEA puede proporcionar la solución de prueba completa, lo que representa una fuente única para todo lo necesario para probar sus dispositivos de potencia.
SPEA desarrolla y fabrica unidades de contacto garantizando su facilidad de uso, un buen rendimiento y una menor inductancia parásita, tanto para paquetes industriales estándar como personalizados, para pruebas ambientales o de dos o tres temperaturas.
Para los módulos de oblea KGD y módulos IGBT, SPEA también ofrece celdas de prueba completas que incorporan un manejo robótico automático, perfectas para integrarse directamente en la línea de producción.
Mejor capacidad de uso
El software operativo ATOS C2 proporciona todos los recursos para la programación, depuración y ejecución de pruebas, mejorando el uso con un conjunto de herramientas para el modo de producción.
Generación y depuración de programas de prueba <1 día.
- Desarrollo sin código, con bibliotecas de software ya implementadas
- Gráfico para la comparación visual de formas de onda de las diferentes secciones del dispositivo bajo prueba (por ejemplo, MOSFET e IGBT monofásicos, trifásicos, multifase)
- Memoria de adquisición incorporada para monitorización V/I en todos los módulos
- Posibilidad de editar todos los parámetros incluidos en los modelos de prueba
- El flujo de prueba se puede cambiar al instante, sin necesidad de modificar el programa de prueba
- Facilidad de uso y control
Prueba realizada
| ISO Test | AC Test | DC Test | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Pins Plate Voltage/Current | TdOn - Time delay on ON | NTC temistor check | ||||
| IGBT NTC Voltage/Current | TdOff – Time delay on OFF | IGES – Gate Leakage current | ||||
| NTC Plate Voltage/Current | Trise – Rise time | VGETh – Threshold voltage | ||||
| Tfall – Fall time | Rgate Internal gate resistance | |||||
| Eon – Energy ON | Cies - Gate – Emitter capacitance | |||||
| Eoff– Energy OFF | Cres - Reverse Transfer Capacitance | |||||
| Qrr – Reverse recovered charge | Coes – Output capacitance | |||||
| Erec – Reverse recovery energy | Gate Charge (Qg) | |||||
| ΔI/ΔTOn – On state Current slew rate | VBr – diode Breakdown test | |||||
| ΔI/ΔTOFF - Off state Current slew rate | ICES – Collector leakage current | |||||
| ΔV/ΔTOn - On state voltage slew rate | VF – Forward diode voltage | |||||
| ΔV/ΔTOff – Off state voltage slew rate | VCESat – Saturation voltage | |||||
| Vrr – Voltage reverse recovery | BVDS - Breakdown Voltage | |||||
| IRM – Peak reverse recovery current | Kelvin | |||||
| Trr – Reverse recovery time | RDSON | |||||
| Short circuit test | Dynamic RDSON | |||||
| Avalanche / UIL / UIS |
Reserve ahora su demostración gratis o contáctenos para obtener información adicional
Contacte con el equipo de la SPEA
Descargar la documentación de SPEA DOT800T
