Il tester DOT800T è una soluzione completa che riunisce in un’unica apparecchiatura tutte le risorse necessarie per eseguire test ISO, AC e DC sull’intera gamma di device di potenza, dal wafer al prodotto finito.
DOT800T soddisfa i requisiti di collaudo dei tradizionali dispositivi al silicio oltre a quelli delle nuove tecnologie al nitruro di gallio e al carburo di silicio, coprendo il loro intero range di performance in termini di tensione e corrente erogate, e di capacità di misurazione di alte frequenze e bassa corrente.
Il corretto funzionamento del dispositivo viene verificato in condizioni operative reali con sequenze complete e precise di test dinamici, test statici e test di isolamento, per garantirne la massima qualità e affidabilità. Tutto questo, in un sistema di collaudo ad alta produttività, modulare e configurabile, progettato per processi di produzione di altissimi volumi.
Un’unica piattaforma per l’intera gamma
di applicazioni di potenza
Wafer
Test completo dei dispositivi di potenza a livello di wafer, per migliorare il rendimento e ridurre i costi delle fasi di lavorazione successive
KGD
Test completo per identificare singoli die funzionanti su frame di pellicola (Known Good Dies)
Discrete
Test completo di dispositivi discreti, basato sulle tecnologie Si / SiC / GaN
IPM
Test completo di transistor bipolari a gate integrato (IGBT) e driver di moduli di potenza intelligenti
DBC
Test completo di substrati di rame a legame diretto prima dell’assemblaggio del modulo
Module
Test completo di moduli IGBT in pacchetti, in condizioni operative reali
Un sistema di collaudo con fino a 6 stazioni
Il sistema DOT800T si basa su un’architettura multi-core che prevede la presenza di fino a sei core indipendenti e configurabili per svolgere test ISO, AC e DC su stazioni dedicate, ciascuna con controller indipendente dedicato. Con un unico sistema si hanno le capacità e le performance di sei potenti tester.
Ciascun core si può assegnare a stazioni di test AC, DC o ISO in base ai requisiti di collaudo e al flusso operativo specifici. La configurazione è scalabile e potenziabile in loco per adattarsi ai diversi requisiti dei dispositivi.
I diversi programmi di collaudo vengono eseguiti in modalità parallela asincrona, dal momento che le risorse di test, i collegamenti alla strumentazione e l’esecuzione del collaudo vengono gestiti da ciascun controller del core.
Le risorse migliori per il collaudo di potenza
Il sistema DOT800T offre una serie di strumentazioni specializzate all’avanguardia per il collaudo dei semiconduttori di potenza, concepite per garantire le performance e l’affidabilità delle tecnologie wide bandgap di nuova generazione che supportano tensioni, correnti, potenze e frequenze di switching elevate.
Il collaudo si può eseguire con la generazione simultanea di tensioni e correnti elevate, mentre la elevata sensibilità di misurazione della corrente unita alla presenza di digitalizzatori ad alta frequenza integrati assicura i migliori risultati possibili in termini di risoluzione e precisione nelle misurazioni di leakage e breakdown.
La memoria locale di set-up per la modifica del set-up direttamente sul modulo, e le macro integrate per generare rampe e trigger, garantiscono brevi tempi di collaudo.
La sincronizzazione dell’hardware a livello di sistema tra i moduli e gli allarmi integrati sui moduli ad alta tensione e alta corrente (ad es. sovratemperatura, sovracorrente, floating, Kelvin, …) sono alla base del funzionamento sicuro e affidabile in modalità mista del sistema di collaudo.
Risorse test ISO
- fino a 12kV/10mA DC
- fino a 10kV/20mA AC
- Interruttori di sicurezza ad alta tensione con matrice di uscita per limitare la corrente di scarica e garantire il funzionamento sicuro del tester in tutte le condizioni operative
Risorse test AC
- Fino a 6kV, fino a 3kA
- I Short Circuit Test fino a 10kA
- Fino a 8 driver per uscita a programmazione indipendente
- Da 2 a 8 impulsi multipli
- Digitalizzatori di frequenza di campionamento da 10GS/s
Risorse test DC
- Sorgente di potenza media V/I (±100V, ±2A, predisposizione per 16A) con 8 driver e 8 digitalizzatori totalmente flottanti e indipendenti
- Generatori di alta tensione fino a 20kV
- Generatori di alta corrente fino a 4kA a impulsi, con generatori automatici di rampa per la riduzione dei tempi di collaudo
Induttanza parassita del tester <10nH
Il collaudo dinamico di dispositivi ad alta potenza e alta frequenza non richiede solo strumenti ad alte prestazioni, ma anche una progettazione attenta del layout del collegamento del tester, del socket e dei contactor, per garantire una bassa induttanza di fuga lungo l’intero percorso del segnale e ridurre al minimo gli overshoot di tensione durante la commutazione. SPEA offre una soluzione di collaudo completa in grado di fornire tutto ciò che occorre per testare i dispositivi di potenza.
Le unità di contatto sono sviluppate e costruite da SPEA per garantire facilità di utilizzo, alte performance e la minore induttanza parassita possibile, sia per package standard che personalizzati, nei collaudi a temperatura ambiente, dual-temp o tri-temp.
Per le metodologie di collaudo wafer KGD e per i moduli IGBT, SPEA fornisce anche celle di collaudo complete con sistemi di movimentazione automatica robotizzati, ideali per l’integrazione diretta nella linea di produzione.
Usabilità eccellente
Il software operativo ATOS C2 fornisce tutte le risorse necessarie per la programmazione, il debugging e l’esecuzione del collaudo con un’usabilità eccellente, grazie a una serie di strumenti per la modalità di produzione.
Generazione del programma di collaudo e debug in meno di un giorno.
- Sviluppo codeless, con librerie di software già implementate
- Grafico per il confronto visivo delle forme d’onda delle diverse sezioni del dispositivo oggetto di collaudo (ad es. MOSFET e IGBT monofase, trifase, multistadio)
- Memoria di acquisizione di bordo per il monitoraggio V/I su tutti i moduli
- Possibilità di modificare tutti i parametri inclusi nei modelli di collaudo
Il ciclo di collaudo si può cambiare “al volo” senza dover modificare il programma
Test eseguiti
| ISO Test | AC Test | DC Test | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Pins Plate Voltage/Current | TdOn - Time delay on ON | NTC temistor check | ||||
| IGBT NTC Voltage/Current | TdOff – Time delay on OFF | IGES – Gate Leakage current | ||||
| NTC Plate Voltage/Current | Trise – Rise time | VGETh – Threshold voltage | ||||
| Tfall – Fall time | Rgate Internal gate resistance | |||||
| Eon – Energy ON | Cies - Gate – Emitter capacitance | |||||
| Eoff– Energy OFF | Cres - Reverse Transfer Capacitance | |||||
| Qrr – Reverse recovered charge | Coes – Output capacitance | |||||
| Erec – Reverse recovery energy | Gate Charge (Qg) | |||||
| ΔI/ΔTOn – On state Current slew rate | VBr – diode Breakdown test | |||||
| ΔI/ΔTOFF - Off state Current slew rate | ICES – Collector leakage current | |||||
| ΔV/ΔTOn - On state voltage slew rate | VF – Forward diode voltage | |||||
| ΔV/ΔTOff – Off state voltage slew rate | VCESat – Saturation voltage | |||||
| Vrr – Voltage reverse recovery | BVDS - Breakdown Voltage | |||||
| IRM – Peak reverse recovery current | Kelvin | |||||
| Trr – Reverse recovery time | RDSON | |||||
| Short circuit test | Dynamic RDSON | |||||
| Avalanche / UIL / UIS |
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